Российские учёные разработали и реализовали топологию интегральной схемы для производства в России прототипа чипа перспективной энгергонезависимой памяти RRAM на основе сочетания традиционной кремниевой технологии в части управляющих схем и новых технологий хранения информации, разработанных в рамках научной программы НЦФМ. В рамках технологии предлагается использовать верхние слои металлизации в классических кремниевых микрочипах для размещения в них мемристоров - особых резисторов с эффектом памяти, чье электрическое сопротивление зависит от того, как до этого через него проходил ток.
Подобный подход позволит использовать их для разработки рукотворных аналогов нервных окончаний, либо в качестве основы для очень экономичной "быстрой" памяти, которая сочетает в себе энергонезависимость флеш-памяти и высокую скорость работы оперативной памяти.
