«У нитрида галлия, в отличие от кремния, ширина запрещенной зоны в три раза выше, это позволяет полупроводниковым приборам работать при более высоких напряжениях. Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать на частотах переключения до нескольких мегагерц и выше, что уменьшает габариты пассивных компонентов преобразователя. Все это дает возможность сделать источник питания более компактным при сохранении высокой мощности»,
— рассказал Максим Дыбко.
В Новосибирске и области есть предприятия, заинтересованные в производстве таких преобразователей. Потенциальными партнерами-заказчиками являются АО «НИИ «Октава» (производитель АФАРов), ООО «Аэрофрегат» (производитель беспилотных летательных аппаратов). Кроме того, есть заинтересованные предприятия-производители нитрид-галлиевых транзисторов, такие как АО «Силовой ключ», АО НИИЭТ (оба предприятия входят в ГК «Элемент», MOEX:ELMT).
