В России сделали энергонезависимую память на основе сегнетоэлектрического оксида гафния

​

Российские ученые в 2025 году успешно завершили испытания промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния (HfO₂), созданных совместно с отечественными разработчиками микросхем и полупроводниковыми производствами. Разработка нужна чтобы создавать в нашей стране собственные перспективные технологии памяти, востребованные для интернета вещей, портативной электроники и нейроморфных вычислений. Практическая реализация технологии потребовала кооперации с промышленными партнерами при поддержке Фонда перспективных исследований. В рамках совместного проекта с НИИМЭ, НИИИС и ПАО «Микрон» отработали цикл изготовления, включающий рост сегнетоэлектрических слоев в МФТИ и дальнейшую обработку на промышленных линиях.​

​