Россия стала 4-ой страной в мире, освоившей производство оборудования такого класса. Специалисты АО «НИИТМ», НТЦ микроэлектроники РАН и ООО «Софт-Импакт» разработали и испытали первую отечественную промышленную установку для выращивания кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках в декабре 2024 года. Нитрид галлия используется для создания компонентов сверхвысокочастотной и силовой микроэлектроники, которые применяются в различных устройствах — от зарядных станций для электромобилей до бытовой электроники, такой как телефоны и ноутбуки или беспилотники.
Установка позволяет получать структуры на подложках диаметром до 200 мм. Начальник лаборатории разработки эпитаксиального оборудования АО «НИИТМ» Дмитрий Пугачев отметил, что при круглосуточной работе машина способна производить до 2 тыс. пластин в год, на каждой из которых может разместиться несколько десятков тысяч транзисторов.
Разработка превосходит зарубежные аналоги по совокупности параметров, требует меньше расхода дорогостоящих исходных материалов и обеспечивает более длительный срок эксплуатации оснастки. На создание установки потребовалось пять лет. Серийное производство планируется запустить в 2025 году.
Установка позволяет получать структуры на подложках диаметром до 200 мм. Начальник лаборатории разработки эпитаксиального оборудования АО «НИИТМ» Дмитрий Пугачев отметил, что при круглосуточной работе машина способна производить до 2 тыс. пластин в год, на каждой из которых может разместиться несколько десятков тысяч транзисторов.
Разработка превосходит зарубежные аналоги по совокупности параметров, требует меньше расхода дорогостоящих исходных материалов и обеспечивает более длительный срок эксплуатации оснастки. На создание установки потребовалось пять лет. Серийное производство планируется запустить в 2025 году.